EOS和ESD比较

EOS

（Electrical Over Stress），指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。

EOS通常产生于：

1)    电源（AC/DC）干扰、电源噪声和过电压

2)    由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似

3)    闪电

4)    测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰

5)    测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如，在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件

6)    来自其他设备的脉冲信号干扰，即从其他装置发送的脉冲

7)    不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理

8)    接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速切换转换引起高电压）

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ESD

（Electrical Static Discharge），静电放电。电荷从一个物体转移到另外一个物体。

ESD危害的三种模型：HBM(Human body model人体模型)、CDM(charged device model带电器件模型)、MM(Machine model机器模型)。

ESD损伤是一种小级别的损伤，而EOS是大数据量级的损伤。

当上电时，ESD损伤会成为异常电路工作的一个焦点。而这种异常电路，会产生额外的功率发散。这种高功率的发散会造成异常严重广泛的损伤，对硅层、金属层、金属焊线等。

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EOS与ESD比较

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ESD/EOS损伤鱼骨分析图