戴尔工作站 CPU 性能和散热调试
最近Dell T7920工作站(Ubuntu 22.04)运行程序多了之后,单核速度变的奇慢无比,怀疑是散热的问题。于是进行了如下操作,这里稍作记录。
首先安装了sensors来查看CPU温度和风扇转速。出现如下问题:(1)传感器检测到温度74+,但是风扇转速还保持在很低的状态(好像是500RPM)。(2)而且显示有一个 fan1 转速保持为0RPM。(3)开机自检显示FAN1错误。
给Dell客服打电话,教给我使用空U盘下载更新BIOS驱动器(exe文件),按F12进入BIOS,选择Flash update。完成后机器没有自检过程了,也不知道到底解决问题没有。
然后,我就搜索了“ubuntu风扇控制”,找到两种解决方案,软件fancontrol和CoreCtrl,弄了半天,各种外网英文资料调参。结论如下:(1)fancontrol对于手动控制风扇转速,特别是对降低转速效果良好;(2)fancontrol无法解决智能化提高风扇转速来散热,当运行程序较多时,每隔几秒就间断式提高转速,噪音明显,也不利于及其长久运行;(3)CoreCtrl资料很少,安装后很难真正实现智能化提高风扇来散热。所以最终卸载了这两个软件,重谋方案。
然后我整体思考猜想了一下,BIOS内应该是可以从更深层次管理风扇转速的,不然这种需求不会资料很少。
稍作搜索,发现进入BIOS setup, Thermal Configuration里面有三种模式,Low,Performance,Auto,针对Auto模式还有几种硬件的散热模块加速设置(加速值可以是0~100)。
我首先选择了Performance模式,发现无法开机,界面显示内存自检无法通过。我很快意识到Performance模式可能是针对原装机器的两块内存条设置的参数,但是我加装了4条内存条。
然后我重新进入BIOS,修改为Auto模式,并把各种硬件的散热加成到100,开机之后真的吓人,这个机器真的感觉要起飞了,而且一直在加速,里面所有的风扇模块全都满功率加速运行。立即拔电闸。
我意识到这个100应该是指100%,对于CPU风扇,听声音应该是4000RPM以上的转速。
后来我在Auto模式下调整了转速,除了CPU风扇提高了10%,其他的硬件模块都只提高了3%。进入系统后机器声音很小sensors查看,CPU温度23°C,风扇转速1000左右。
最终:(1)进入BIOS手动自检通过。(2)测试下了,程序运行速度肉眼可见的加速了。(3)就是感觉房间里阴风阵阵,回头给它换个房间。(4)sensors还是显示有一个 fan1 转速保持为0RPM,有可能确实有一个风扇坏了,也有坑你是sensors的问题吧,回头再问问Dell客服。
上一篇: 如何检查 cpu 温度 aida64
下一篇: Linux 计算机网络
推荐阅读
-
戴尔工作站 CPU 性能和散热调试
-
三分钟带你了解手机内部硬件-主要影响手机性能的有以下几点 CPU - *处理器(手机中的大脑) CPU 是计算思考以及处理事物的。 比如:我们日常玩手机,什么最重要?毫无疑问是手机打开软件很流畅,使用各种功能不卡。 这就是CPU的性能,那什么影响 CPU 的因素有哪些? 架构 架构是 CPU 的基础,对于处理器的整体性能起到了决定性的作用,不同架构的处理器同主频下,性能差距可以达到2-5倍。可见架构的重要性。 那么什么是架构呢? 打个比方,架构就是一栋楼的框架。至于最终楼什么样子,就由处理器的厂商决定了,但是有一点,如果说这栋楼房的结构设计出来容纳多少人,那么最后建好的房子也要在这个范围内。同理,如果使用相同架构的处理器,那么本质上不会有太大的区别。 看一下主流手机的架构 处理器对比.jpg 从上图可见:高通 和 苹果都是自主设计,所以说它们牛还是有一定的道理的。不同的架构, 性能和功耗也是不同的。架构决定了 主频、核心数、带宽等和运算量直接相关的东西。目前很多手机打广告都是说 多少核的机器。但是并不是说核越多性能就越强,你没看见,苹果双核就能吊打高通和联发科吗? 制程 制程 专指:事物运作程序的处理过程。常指手机芯片框架的运算速度量。 简单的说就是电路板中电路与电路之间的距离,目前已经发展到纳米级别。 制程越小,可以向芯片中塞入更多的晶体管,随之而来的好处还有:降低电量和成本、散热。 制程数的确定 这里有人要问,为什么制程的数字是这些,而不是别的数字,比如有28nm,为什么没有29nm? 这其实是有一定规律的。根据早期国际半导体蓝图规划,由五个在相关领域较为发达的国家共同制定,约定下一代制程要在上一代基础上做到晶体管数量不变,芯片面积缩小一半。由这一关系可以算出前一代制程要比后一代大√2倍,所以能算出后一代大概数值。纵观整个处理器制程变化,除了少部分特殊的外,都遵循着这一规则。 近代制程的发展 2014 年底,三星宣布了世界首个 14nm FinFET 3D 晶体管进入量产,标志着半导体晶体管进入 3D 时代。发展到今天,三星拥有了四代 14nm 工艺,第一代是苹果 A9 上面的 FinFET LPE(Low Power Early),第二代则是用在猎户座 骁龙 820 和骁龙 625 上面的 FinFET LPP(Low Power Plus)。第三代是 FinFET LPC,第四代则是目前的 FinFET LPU。至于 10nm 工艺,三星则更新到了第三代(LPE/LPP/LPC)。 目前为止,三星已经将 70000 多颗第一代 LPE(低功耗早期)硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座 8895,以及高通的骁龙 835,都采用这种工艺制造,而 10nm 第二代 LPP 版和第三代 LPU 版将分别在年底和明年进入批量生产。 手机芯片市场上已经进入了 10nm、7nm 处理器的白热化竞争阶段,而 14/16nm 制程的争夺也不过是一两年前的事。 总线位宽 总线位宽决定输入/输出设备之间一次数据传输的信息量,用位(bit)表示,如总线宽度为8位、16位、32位和64位。