用于工业计算的 MRAM 内存模块 - MR4A16B

 

并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，明显改变消费者使用电子没备的方式。
 
研华PCM-23系列内存模块是用于mPCIe接口的工业级内存模块，能够通过具有不同功能的iDoor技术通过连接器扩展对内存的访问。
 
PCM-23内存模块是可选的扩展内存，用于在事件日志中存储关键数据。断电时，关键数据必须是非易失性的。为了满足非易失性存储器的需求，研华选择了Everspin MR4A16B 16Mb MRAM存储器，因为它提供了2MB的非易失性，可靠的数据存储，并具有20年的数据保留时间。全部没有电池或外部电容器。
 

 
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位构成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期，并拥有出色耐久性对于这款并行MRAM来说，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。everspin代理商宇芯电子支持技术指导及产品解决方案。


Everspin 并口MRAM MR4A16B系列

型号	容量	位宽	封装	电压	温度	MOQ(pcs) /Tray	MOQ(pcs) /T&R
MR4A16BCMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃	480	2500
MR4A16BMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	0℃to +70℃	480	2500
MR4A16BCYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃	216	1000
MR4A16BYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	0℃to +70℃	216	1000