什么是 DOB 灯板?
DOB灯板是什么?
DOB,Driver on Board,或者Driverless,俗称去掉光源,不过,这并不意味着LED完全没有光源,它只是一种不同于传统Power IC的新驱动方式。
DOB LED 灯是 LED 照明系统(LED 灯泡或 LED 灯具)
DOB LED Light is LED lighting system (either an LED bulb or an LED luminaire) .
DOB灯板的制造原理:
它结合了光引擎和集成的板载驱动器。DOB 是“驱动程序”的缩写。在传统的 LED 照明系统中,驱动器通常与 LED 组件分离并制造在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上。这种配置基于 LED 驱动器主要设计为开关模式电源的考虑。SMPS 驱动程序通常使用体积大、昂贵且不可靠的电抗元件,例如电感器和电容器。使用无功元件需要专用的 FR4 板,该板可为元件互连提供足够的布线层。在集成照明系统中,典型 SMPS 驱动器的相当大的体积需要照明系统内有足够的空间来容纳驱动器电路。此外,电解电容器等电抗元件对温度很敏感。远程安装可以减轻这些由 LED 强加的热应力分量。
什么是DOB技术?
专业的 LED 照明系统——尤其是那些可以控制光的系统——确保高质量的照明,同时降低能源消耗。因此,为了保持灯具的高质量和可靠性,我们使用基于驱动程序(DOB) 技术的电源适配器。
DOB 照明驱动方式是继传统开关电源模式以外,新的 LED 驱动模式,直接将 AC 市电整流变成 DC 后通过 IC 控制 LED 电流,使 LED 在一定的范围内恒流输出驱动 LED 灯珠发光。
DOB投光灯(线性投光灯)材质说明:
1、灯体采用压铸铝成型,荆条+螺旋式散热设计,能高效散热,确保灯具的使用寿命时间;
2、灯体表面经过户外粉处理,外形美观大方;
3、采用纳米反光罩,反射效率高达90%以上;
4、采用高强度钢化玻璃,抗压性能强,透光率高,光线均匀;
5、360°可调角度的安装支架,使用方便,牢固;
6、外露的固定件均采用不锈钢材质,确保户外使用,经久耐用;
LED灯珠:
1、灯珠采用高亮3030灯珠,高光效,低耗能;
2、灯珠光效:160lm/w(整灯光效最高可达125lm/w),显色指数Ra>75;
3、色温值:3000-6500K;
DOB投光灯(线性投光灯)应用场所:
球场广场照明、立交桥亮化、建筑楼宇亮化、园林景观、隧道照明、户外照明等;
DOB投光灯(线性投光灯)的优点:
1)能够做超轻超薄,产品美观节省运输成本;
2)便于生产,可以全贴片完成,节省人工成本;
3)全机器化贴片产品不良率低;
4)由于IC芯片和LED在同块铝基板上,芯片有过温保护点,当温度过高就会保护,有效的延长LED的使用寿命;
5)无需电解电容,功能稳定,成本低,超长寿命;
6)具有高功率因素,实际应用上做到真正意义上的节能省电;
7)开灯瞬间启动,无需等待,比传统LED更快捷。
使用DOB 驱动程序的优势?
超薄超轻,节省运输成本。
全自动SMT,节省人工成本,降低不良品率。
过温保护,IC芯片和LED在同一块PCB上,延长LED寿命。
几乎不用电解电容元件,更稳定,降低成本。
即时开启,比传统灯更快。
现在在LED领域,发展的趋势是更简单、紧凑和经济。 在这种趋势下,IC解决方案应运而生,DOB技术市场每年增长超过200%。
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三分钟带你了解手机内部硬件-主要影响手机性能的有以下几点 CPU - *处理器(手机中的大脑) CPU 是计算思考以及处理事物的。 比如:我们日常玩手机,什么最重要?毫无疑问是手机打开软件很流畅,使用各种功能不卡。 这就是CPU的性能,那什么影响 CPU 的因素有哪些? 架构 架构是 CPU 的基础,对于处理器的整体性能起到了决定性的作用,不同架构的处理器同主频下,性能差距可以达到2-5倍。可见架构的重要性。 那么什么是架构呢? 打个比方,架构就是一栋楼的框架。至于最终楼什么样子,就由处理器的厂商决定了,但是有一点,如果说这栋楼房的结构设计出来容纳多少人,那么最后建好的房子也要在这个范围内。同理,如果使用相同架构的处理器,那么本质上不会有太大的区别。 看一下主流手机的架构 处理器对比.jpg 从上图可见:高通 和 苹果都是自主设计,所以说它们牛还是有一定的道理的。不同的架构, 性能和功耗也是不同的。架构决定了 主频、核心数、带宽等和运算量直接相关的东西。目前很多手机打广告都是说 多少核的机器。但是并不是说核越多性能就越强,你没看见,苹果双核就能吊打高通和联发科吗? 制程 制程 专指:事物运作程序的处理过程。常指手机芯片框架的运算速度量。 简单的说就是电路板中电路与电路之间的距离,目前已经发展到纳米级别。 制程越小,可以向芯片中塞入更多的晶体管,随之而来的好处还有:降低电量和成本、散热。 制程数的确定 这里有人要问,为什么制程的数字是这些,而不是别的数字,比如有28nm,为什么没有29nm? 这其实是有一定规律的。根据早期国际半导体蓝图规划,由五个在相关领域较为发达的国家共同制定,约定下一代制程要在上一代基础上做到晶体管数量不变,芯片面积缩小一半。由这一关系可以算出前一代制程要比后一代大√2倍,所以能算出后一代大概数值。纵观整个处理器制程变化,除了少部分特殊的外,都遵循着这一规则。 近代制程的发展 2014 年底,三星宣布了世界首个 14nm FinFET 3D 晶体管进入量产,标志着半导体晶体管进入 3D 时代。发展到今天,三星拥有了四代 14nm 工艺,第一代是苹果 A9 上面的 FinFET LPE(Low Power Early),第二代则是用在猎户座 骁龙 820 和骁龙 625 上面的 FinFET LPP(Low Power Plus)。第三代是 FinFET LPC,第四代则是目前的 FinFET LPU。至于 10nm 工艺,三星则更新到了第三代(LPE/LPP/LPC)。 目前为止,三星已经将 70000 多颗第一代 LPE(低功耗早期)硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座 8895,以及高通的骁龙 835,都采用这种工艺制造,而 10nm 第二代 LPP 版和第三代 LPU 版将分别在年底和明年进入批量生产。 手机芯片市场上已经进入了 10nm、7nm 处理器的白热化竞争阶段,而 14/16nm 制程的争夺也不过是一两年前的事。 总线位宽 总线位宽决定输入/输出设备之间一次数据传输的信息量,用位(bit)表示,如总线宽度为8位、16位、32位和64位。
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