...
I-line光刻胶是一种用于光刻过程的光敏材料，它对i-line（波长365nm）的紫外光有反应。I线光刻胶适用于中等线宽尺寸的图案制作。具体的适用线宽范围会根据光刻胶的特性、曝光条件和制程要求而有所变化。一般而言，I线光刻胶可实现亚微米级别的线宽。
I-line光刻胶的主要组成部分包括：
光敏剂：
这是光刻胶中最重要的成分，它对紫外光有反应。在暴露于紫外光后，光敏剂会发生化学反应，导致光敏剂的化学结构和溶解性发生变化。这种变化使得光刻胶在显影过程中能够形成微小的图案。
树脂：
树脂是光刻胶的主体，它提供了胶体的基本形状和结构。光刻胶中的树脂是一种高分子材料，它为光刻胶提供了基本的结构和形状。树脂的选择和设计对光刻胶的性能有重要影响，包括其耐蚀性、热稳定性、光敏性以及在硅片上的涂覆性能。
树脂在溶剂的作用下可以形成均匀的薄膜，这是光刻过程中形成微小图案的基础。在光刻过程中，光刻胶需要经受蚀刻液的侵蚀。树脂的耐蚀性决定了光刻胶的耐蚀性。在光刻过程中，光刻胶需要经受高温烘烤。树脂的热稳定性决定了光刻胶的热稳定性。树脂需要与光敏剂配合，使光敏剂在光照下发生反应，改变其溶解性。
溶剂：
溶剂可以调整光刻胶的粘度，使其适合涂覆过程。粘度过高的光刻胶可能无法均匀地涂覆在硅片上，而粘度过低的光刻胶可能无法形成足够厚度的膜层。在涂覆过程中，溶剂会从光刻胶中挥发出去，留下均匀的光刻胶膜层。：溶剂需要能够有效地溶解光刻胶中的树脂和光敏剂，以确保光刻胶的均匀性和性能。溶剂的挥发性会影响光刻胶的干燥速度。快速干燥的溶剂可以缩短光刻过程的时间，但可能会导致膜层的不均匀；慢速干燥的溶剂可以得到更均匀的膜层，但可能会延长光刻过程的时间。
其他添加剂：
这些添加剂可以改善光刻胶的性能。增敏剂可以提高光刻胶对光的敏感性，使其在较低的光强度下也能有效地发生光化学反应。这可以缩短曝光时间，提高光刻过程的效率。润湿剂可以改善光刻胶在硅片上的涂覆性能，使其能够形成更均匀的膜层。这对于获得清晰、精确的图案是非常重要的。稳定剂可以提高光刻胶的热稳定性和化学稳定性，使其在光刻过程中保持稳定的性能。抗蚀剂可以提高光刻胶的耐蚀性，使其能够更好地抵抗蚀刻液的侵蚀。这对于保持图案的精度和完整性是非常重要的。
正性光刻胶
负性光刻胶
随着微电子制造的不断发展和需求的不断提高，追求更高分辨率的光刻技术得到了广泛的关注。在一些先进的制程中，可能需要更高分辨率的光刻胶，如深紫外光刻胶（DUV）和极紫外光刻胶（EUV），以实现更小尺寸的线宽要求。
